در تقاطع­­های راست گوشه سه شاخه یا چهار شاخه کانال­های روباز، مطالعه جدایی جریان بسیار حائز اهمیت می­باشد. برخی پارامترهای موثر در این زمینه نسبت دبی ورودی و عمق جریان می­باشد که در این تحقیق تاثیر نسبت دبی ورودی و نسبت ارتفاع سرریزها (عمق جریان) در الگوی جریان و ابعاد ناحیه جداشدگی به صورت عددی شبیه­سازی شده است. بررسی نتایج مدل عددی نشان داد که مدل k-ω بیشترین مطابقت را با نتایج آزمایشگاهی دارد، به طوریکه میزان خطای شبیه­سازی کمتر از 20% بود. ابعاد ناحیه جداشدگی در کانال­­های اصلی و فرعی با نسبت دبی ورودی رابطه مستقیم داشت. همچنین با افزایش ارتفاع سرریزهای خروجی، عمق جریان افزایش یافت و منجر به کاهش ابعاد ناحیه جداشدگی شد. مطابق نتایج عددی، ابعاد ناحیه جداشدگی در راستای قائم از کف کانال به سطح آب افزایش یافت، به­طوری­که برای نسبت دبی 6/0 و نسبت ارتفاع سرریز 377/0، طول ناحیه جداشدگی در کف کانال، فاصله 1/0 متر از کف و در سطح آب به ترتیب در حدود 60 سانتیمتر، 75 سانتیمتر و 85 سانتیمتر بود. بنابراین از سطح آب به سمت کف کانال طول ناحیه جداشدگی در حدود 29% کاهش یافت.

در جهت افزایش بازه کد خوانی و کنترل از فاصله دورتر، می بایست بلوک های موجود بر روی تراشه تگ RFID مصرف توان کمی داشته باشند. در این مقاله یک مدار مرجع ولتاژ با ولتاژ تغذیه 1V به عنوان یکی از بلوک های مهم در تگ RFID برای کاربردهای پلیس هوشمند ارائه شده است. در ساختار مرجع ولتاژ پیشنهادی ترانزیستورهای ماسفت در ناحیه زیرآستانه هدایت شده اند. برای تولید ولتاژ معکوس با دمای مطلق (CTAT)، از ولتاژ یک اتصال pn (PN junction) که توسط یک ترانزیستور PMOS ایجاد شده و بخشی از مدار بایاس می باشد، استفاده شده است. جهت دستیابی به ولتاژ مرجع خروجی در حدود 753mV، دو طبقه ولتاژ متناسب با دمای مطلق(PTAT) تفاضلی به ولتاژ CTAT اضافه شده و یک ولتاژ مرجع با حداقل وابستگی به دما را ایجاد می کنند. مرجع ولتاژ پیشنهادی در فرآیند 0.18 میکرومتر CMOSشبیه سازی و مساحت جانمایی آن 0.0064 میلی متر مربع محاسبه شده است. نتایج شبیه سازی پساجانمایی نشان می دهد که در بازه دمایی 0 تا 110 درجه سانتیگراد ضریب دمایی (TC)، ℃/19.7 ppm حاصل می شود. تنظیم خط (LR) در محدوده ولتاژ تغذیه 0.8V تا 1.2V برابر با 0.058 درصد بر ولت است. همچنین جریان مصرفی مرجع ولتاژ 13.2nA بدست آمده است.

در جهت افزایش بازه کد خوانی و کنترل از فاصله دورتر، می بایست بلوک های موجود بر روی تراشه تگ RFID مصرف توان کمی داشته باشند. در این مقاله یک مدار مرجع ولتاژ با ولتاژ تغذیه 1V به عنوان یکی از بلوک های مهم در تگ RFID برای کاربردهای پلیس هوشمند ارایه شده است. در ساختار مرجع ولتاژ پیشنهادی ترانزیستورهای ماسفت در ناحیه زیرآستانه هدایت شده اند. برای تولید ولتاژ معکوس با دمای مطلق (CTAT)، از ولتاژ یک اتصال pn (PN junction) که توسط یک ترانزیستور PMOS ایجاد شده و بخشی از مدار بایاس می باشد، استفاده شده است. جهت دستیابی به ولتاژ مرجع خروجی در حدود 753mV، دو طبقه ولتاژ متناسب با دمای مطلق(PTAT) تفاضلی به ولتاژ CTAT اضافه شده و یک ولتاژ مرجع با حداقل وابستگی به دما را ایجاد می کنند. مرجع ولتاژ پیشنهادی در فرآیند 0. 18 میکرومتر CMOSشبیه سازی و مساحت جانمایی آن 0. 0064 میلی متر مربع محاسبه شده است. نتایج شبیه سازی پساجانمایی نشان می دهد که در بازه دمایی 0 تا 110 درجه سانتیگراد ضریب دمایی (TC)، ° C/19. 7 ppm حاصل می شود. تنظیم خط (LR) در محدوده ولتاژ تغذیه 0. 8V تا 1. 2V برابر با 0. 058 درصد بر ولت است. همچنین جریان مصرفی مرجع ولتاژ 13. 2nA بدست آمده است.

مقدمه: مطالعات روانشناسی شناختی در سال های اخیر به معرفی دو نوع عزت نفس آشکار و ناآشکار منجر شده است. مطالعات متعددی نشان داده اند که عزت نفس ناآشکار را می توان در عرض چند دقیقه شرطی کرد.روش: در این پژوهش تعدادی محرک مثبت و منفی به روش زیرآستانه ای با مفهوم خویشتن افراد همایند شدند تا تاثیر این همایندی ها بر عزت نفس ناآشکار آن ها بررسی شود. پژوهش حاضر یک تحقیق تجربی بود که از طرح آزمایشی پیش آزمون پس آزمون با گروه کنترل استفاده شد و برای دست کاری عزت نفس ناآشکار، مطابق الگوی برگرفته شده از مطالعات پیشین، با استفاده از نرم افزار رایانه ای (ISEM) بر روی 90 نفر (45 مرد و 45 زن) به صورت انفرادی در دو گروه آزمایش دست کاری مثبت و دست کاری منفی و گروه کنترل اجرا شد.یافته ها: نتایج حاصل از ارائه محرک های زیرآستانه ای نشان داد میانگین، میانه عزت نفس ناآشکار در مداخله های مثبت افزایش و در مداخله های منفی کاهش یافت. تحلیل کوواریانس داده ها نشان داد دست کاری مثبت عزت نفس ناآشکار باعث افزایش معنادار عزت نفس ناآشکار شد و از طرف دیگر دست کاری منفی عزت نفس ناآشکار باعث کاهش عزت نفس ناآشکار شد.نتیجه گیری: نتایج تحقیق حاضر نشان داد که گرچه احساسات مربوط به عزت نفس می تواند از تجارب دوران کودکی ناشی شود، بعدها می تواند از طریق به کارگیری اصول یادگیری اولیه شرطی سازی کلاسیک افزایش و یا کاهش یابد.

سلول حافظه SRAM شش ترانزیستوری معمولی در ولتاژهای کم قابلیت نوشتن مناسبی ندارد و نیز دچار خطاهای خواندن می شود. در این مقاله با ارائه یک طرح هشت ترانزیستوری برای سلول حافظه، علاوه بر بهبود قابلیت نوشتن، میزان خطای خواندن نیز به شدت کاهش یافته است. بدین ترتیب سلول ارائه شده توانایی کارکردن در ولتاژهای زیرآستانه در حد 275 میلی ولت را دارد، در حالی که سلول حافظه شش ترانزیستوری معمولی فاقد این قابلیت است. با طراحی سلول ارائه شده و سلول شش ترانزیستوری معمولی و نیز سه سلول دیگر از بین مقالات اخیر برای مقایسه در تکنولوژی 90 نانومتر صنعتی و انجام شبیه سازی با HSPICE ملاحظه شد که طرح مذکور در ولتاژ تغذیه 800 میلی ولت، تاخیر خواندن و نوشتن را به ترتیب به میزان 50% و 47.5%، نسبت به بهترین طرح از بین چهار طرح فوق کاهش داده است. همچنین میزان بهبود توان مصرفی یک عمل نوشتن در این ولتاژ، نسبت به بهترین طرح، 40% بوده است. از بین پنج طرح مقایسه شده، تنها طرح ارائه شده ما قابلیت کارکرد صحیح در ولتاژهای زیر آستانه را دارد. در انتها با تهیه چینش طرح ارائه شده در تکنولوژی 180 نانومتر صنعتی و انجام شبیه سازی بعد از چینش، اثر اضافه شدن پارامترهای پارازیتی در مدار چینش را مورد بررسی قرار داده ایم.

در این مقاله یک مرجع جریان با تکنیک ترکیب ساختار ترانزیستورهای اشباع و زیرآستانه ارائه می شود. در این کار ابتدا با هریک از این ساختارها جریان های PTAT و CTAT تولید و با یکدیگر ترکیب شد. سپس برای دستیابی به ضریب تغییرات دمایی پایین جریان های خروجی این دو ساختار با ضرایب مناسبی جمع گردید تا یک جریان مرجع برابر با µ A100 به دست آید. مدار پیشنهادی برای این مرجع جریان در تکنولوژی 0. 18μ m CMOS TSMC طراحی و جانمایی آن به ابعاد 177. 4μ m×180. 5μ m در نرم افزار Cadence رسم و مدار استخراج شده از آن شبیه سازی شد. نتایج شبیه سازی نشان دادند که این مرجع جریان در بازه دمایی º C40-تا º C120 برای حالت TT دارای ضریب تغییرات دمایی ppm/º C3. 68 می باشد. علاوه بر این، میانگین ضریب تغییرات دمایی آن برای 1000 بار تکرار مونت کارلو برابر ppm/º C 16. 384 است. همچنین نتایج شبیه سازی نشان داد که این مدار نسبت به تغییر یک ولتی ولتاژ تغذیه دارای حساسیت 2. 9% می باشد. ولتاژ دو سر این مرجع جریان در 98% مقدار نامی خود برابر mV396 است. توان مصرفی این مدار در ولتاژ تغذیه V8/1 برابر 39. 67µ W است.

هدف پژوهش حاضر با هدف بررسی اثر ارائه زیرآستانه تصاویر مرتبط با دخانیات در آمادگی اعتیاد، پذیرش اعتیاد و ولع مصرف انجام شد. روش روش پژوهش شبه آزمایشی و طرح آن به صورت پیش آزمون-پس آزمون با گروه گواه بود. جامعه آماری پژوهش عبارت بود از مردان مصرف کننده دخانیات در سال 1396 که به کلینیک های ترک اعتیاد شهر رشت (ناحیه یک) مراجعه کرده بودند. از بین آن ها 40 شرکت کننده با روش نمونه گیری در دسترس انتخاب شدند و به صورت تصادفی در دو گروه آزمایش (20 نفر) و گروه گواه (20 نفر) گمارده شدند. ابزارهای پژوهش شامل مقیاس ایرانی آمادگی به اعتیاد، مقیاس پذیرش اعتیاد و مقیاس ولع مصرف مواد بود. پس از اجرای پیش آزمون، تصاویر مرتبط با دخانیات به صورت زیرآستانه به گروه آزمایش ارائه شد، در حالیکه گروه گواه در معرض تصاویر زیرآستانه خنثی رنگی قرار گرفتند. پس از اتمام برنامه، هر دو گروه مجدد مورد ستجش قرار گرفتند. یافته ها نتایج پژوهش حاضر نشان داد بین میانگین رتبه ای ولع مصرف در گروه آزمایش تفاوت وجود داشت (0/05P<). بدین معنا که میزان ولع مصرف در گروه آزمایش افزایش یافته بود. اما در متغیرهای پذیرش و استعداد تفاوت به دست نیامد (0/05 P>). نتیجه گیری با توجه به تاثیر ارائه زیرآستانه تصاویر مرتبط با دخانیات در ولع مصرف مواد، می توان از روش ارائه زیرآستانه در زمینه های بالینی به عنوان ابزاری درمانی و پیشگیرانه برای کاهش ولع مصرف مواد استفاده کرد.

مقدمه: هدف پژوهش حاضر بررسی تاثیر تجارب هیجانی زیر آستانه ای در قضاوت اخلاقی شخصی و غیرشخصی بود.روش: 35 نفر (20 نفر مونث و 15 نفر مذکر) از دانشجویان دانشگاه خوارزمی با استفاده از نمونه گیری تصادفی انتخاب شدند و به صورت انفرادی در معرض القاء تجارب هیجانی خنثی، مثبت و منفی زیر آستانه ای قرار گرفتند. پس از هر مرحله القاء هیجان، آزمودنی ها به دو داستان اخلاقی شخصی و غیر شخصی پاسخ دادند. داده ها با استفاده از تحلیل واریانس با تدابیر مکرر تحلیل شد.یافته ها: نتایج نشان داد که القاء تجارب هیجانی زیر آستانه ای مثبت و منفی منجر به غیر سودگرایی در قضاوت اخلاقی شخصی می شود، اما بر قضاوت اخلاقی غیرشخصی تاثیر ندارد.نتیجه گیری: یافته های پژوهش بیانگر نقش بارز تجارب هیجانی در فرایندهای شناختی مبتنی بر قضاوت اخلاقی است.